苹果芯片“拼装”的秘方，在专利里头找到了

法，该系统建筑设计的矽反之亦然层可容纳1200mm2的多个逻辑纤粒和八个HBM（很低数据链路硬盘）磁盘。纤粒与矽反之亦然层的有别于打招呼（Face to Face，链路数据层与链路数据层联结）的连结作法。

▲CoWoS系统建筑设计所能正因如此的总晶片总长度日趋变小（P. K. Huang 2021）

在UltraFusion系统建筑设计里面，通过使用裸片缝合（Die Stitching）系统建筑设计，可将4个凌早先剪裁来扩充反之亦然层的总长度。在这种方法里面，4个凌模被同时曝光，并在单个晶片里面生成四个缝合的“底部”。

▲UltraFusion指令集链路数据系统建筑设计（单层与多层，概述专利申特地US 20220013504A1/US 20210217702A1）

根据小米公司的专利申特地标示出，在这一系统建筑设计里面，片两者之间链路数据可以是单层金属在，也可以是多层金属在。（US 20220013504A1/US 20210217702A1）

三、六大系统建筑设计特别增加效率

UltraFusion不仅仅是比较简单的天体物理学连结结构。在这一积体电路指令集里面，有几项特别增加效率过的系统建筑设计。（P. K. Huang 2021）

1）极低RC链路数据

在UltraFusion里面，有在此之后极低RC（电容器x电流=链路提早）金属在层，以在毫米链路数据微小上共享格外好的片两者之间信号一致性。

与多晶片基本功能（MCM）等其他积体电路很低效率相比，UltraFusion的反之亦然层在逻辑纤粒之两者之间或逻辑纤粒和硬盘磁盘之两者之间共享比较大且短的金属在链路数据。片两者之间一致性格外好，且能耗格外极低，并能以格外很低的计数器速率运行。这种在此之后反之亦然层链路数据方案将走线电流和通孔电流降极低了50%以上。

▲一环反之亦然层链路的链路数据浮点运算控制（US 20210217702A1）

2）链路数据浮点运算控制

小米的专利申特地标示出，UltraFusion使用了可关闭的的系统（Buffuer），透过链路数据的系统的浮点运算控制，有效降极低暂停的链路数据线的能耗。

3）增加效率TSV

很低交错比的矽通孔（TSV）是矽反之亦然层系统建筑设计另一个颇为极为重要的部分。UltraFusion/CoWoS-S5之后建筑设计了TSV，增加效率了链路连续性，以适合很低速SerDes链路。

4）内置在反之亦然层的电容器（iCAP）

UltraFusion在反之亦然层内置了深穿孔电容器器（iCap），帮助大大提很低晶片的电源一致性。内置在反之亦然层的电容器密度有约300nF/mm2，帮助各纤粒和信号链路数据享有格外稳定的供电。

5）在此之后很低热图形材料

UltraFusion通过内置在CoWoS-S5里面的新的同型非凝胶同型很低热图形材料（TIM），很低热导率>20W/K，覆盖率达到100%，为各个很低算力纤粒共享格外好的冷却系统反对，从而强化主体冷却系统。

▲通过Die-Stitching提很低良率并降极低运输成本（US 20220013504A1）

6）通过Die-Stitching系统建筑设计有效大大提很低积体电路良率降极低运输成本

UltraFusion里面，仅将KGD（Known Good Die）透过键合，这样避免了传统的WoW（Wafer on Wafer）或CoW（Chip on Wafer）里面失效的纤粒被积体电路的疑虑，进而大大提很低积体电路后的良率，降极低了主体的很低达运输成本。（还好的晶片越好少，在固定的流片和研发款项应该下，单晶片很低达运输成本就越好极低）。

四、结语：为格外强算力晶片共享也许空两者之间

本文里面，我们从小米公司和宏达电的专利申特地和专著出发，对UltraFusion系统建筑设计透过了初步的类比。

UltraFusion充分结合了积体电路链路数据系统建筑设计、矽制做和电路建筑设计系统建筑设计，为整合总长度格外大、精度格外很低的算力晶片共享了巨大的也许空两者之间，为计算指令集的演进共享了颇为好的助力和概要。

本文来自账号对政府号：纤好像（ID：aichip001），所作：陈巍（千纤科技）

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